SI9424BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
Artikelnummer
SI9424BDY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
1.25W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±9V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51961 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI9424BDY-T1-GE3
SI9424BDY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI9424BDY-T1-GE3 Försäljning
SI9424BDY-T1-GE3 Leverantör
SI9424BDY-T1-GE3 Distributör
SI9424BDY-T1-GE3 Datatabell
SI9424BDY-T1-GE3 Foton
SI9424BDY-T1-GE3 Pris
SI9424BDY-T1-GE3 Erbjudande
SI9424BDY-T1-GE3 Lägsta pris
SI9424BDY-T1-GE3 Sök
SI9424BDY-T1-GE3 Köp av
SI9424BDY-T1-GE3 Chip