IRLZ14PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Artikelnummer
IRLZ14PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18552 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLZ14PBF
IRLZ14PBF Elektroniska komponenter
IRLZ14PBF Försäljning
IRLZ14PBF Leverantör
IRLZ14PBF Distributör
IRLZ14PBF Datatabell
IRLZ14PBF Foton
IRLZ14PBF Pris
IRLZ14PBF Erbjudande
IRLZ14PBF Lägsta pris
IRLZ14PBF Sök
IRLZ14PBF Köp av
IRLZ14PBF Chip