IRLZ14L
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
Artikelnummer
IRLZ14L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262-3
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12627 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLZ14L
IRLZ14L Elektroniska komponenter
IRLZ14L Försäljning
IRLZ14L Leverantör
IRLZ14L Distributör
IRLZ14L Datatabell
IRLZ14L Foton
IRLZ14L Pris
IRLZ14L Erbjudande
IRLZ14L Lägsta pris
IRLZ14L Sök
IRLZ14L Köp av
IRLZ14L Chip