IRL640
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
Artikelnummer
IRL640
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41858 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL640
IRL640 Elektroniska komponenter
IRL640 Försäljning
IRL640 Leverantör
IRL640 Distributör
IRL640 Datatabell
IRL640 Foton
IRL640 Pris
IRL640 Erbjudande
IRL640 Lägsta pris
IRL640 Sök
IRL640 Köp av
IRL640 Chip