IRL60B216
MOSFET N-CH 60V 195A
Artikelnummer
IRL60B216
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®, StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
258nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15570pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44881 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL60B216
IRL60B216 Elektroniska komponenter
IRL60B216 Försäljning
IRL60B216 Leverantör
IRL60B216 Distributör
IRL60B216 Datatabell
IRL60B216 Foton
IRL60B216 Pris
IRL60B216 Erbjudande
IRL60B216 Lägsta pris
IRL60B216 Sök
IRL60B216 Köp av
IRL60B216 Chip