IRL60S216
MOSFET N-CH 60V 195A
Artikelnummer
IRL60S216
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®, StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40298 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL60S216
IRL60S216 Elektroniska komponenter
IRL60S216 Försäljning
IRL60S216 Leverantör
IRL60S216 Distributör
IRL60S216 Datatabell
IRL60S216 Foton
IRL60S216 Pris
IRL60S216 Erbjudande
IRL60S216 Lägsta pris
IRL60S216 Sök
IRL60S216 Köp av
IRL60S216 Chip