IRL630STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Artikelnummer
IRL630STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30855 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL630STRRPBF
IRL630STRRPBF Elektroniska komponenter
IRL630STRRPBF Försäljning
IRL630STRRPBF Leverantör
IRL630STRRPBF Distributör
IRL630STRRPBF Datatabell
IRL630STRRPBF Foton
IRL630STRRPBF Pris
IRL630STRRPBF Erbjudande
IRL630STRRPBF Lägsta pris
IRL630STRRPBF Sök
IRL630STRRPBF Köp av
IRL630STRRPBF Chip