IRL630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Artikelnummer
IRL630PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33597 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL630PBF
IRL630PBF Elektroniska komponenter
IRL630PBF Försäljning
IRL630PBF Leverantör
IRL630PBF Distributör
IRL630PBF Datatabell
IRL630PBF Foton
IRL630PBF Pris
IRL630PBF Erbjudande
IRL630PBF Lägsta pris
IRL630PBF Sök
IRL630PBF Köp av
IRL630PBF Chip