IRL620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
Artikelnummer
IRL620PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 3.1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27489 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL620PBF
IRL620PBF Elektroniska komponenter
IRL620PBF Försäljning
IRL620PBF Leverantör
IRL620PBF Distributör
IRL620PBF Datatabell
IRL620PBF Foton
IRL620PBF Pris
IRL620PBF Erbjudande
IRL620PBF Lägsta pris
IRL620PBF Sök
IRL620PBF Köp av
IRL620PBF Chip