IRFSL9N60ATRL
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Artikelnummer
IRFSL9N60ATRL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
170W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38837 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL9N60ATRL
IRFSL9N60ATRL Elektroniska komponenter
IRFSL9N60ATRL Försäljning
IRFSL9N60ATRL Leverantör
IRFSL9N60ATRL Distributör
IRFSL9N60ATRL Datatabell
IRFSL9N60ATRL Foton
IRFSL9N60ATRL Pris
IRFSL9N60ATRL Erbjudande
IRFSL9N60ATRL Lägsta pris
IRFSL9N60ATRL Sök
IRFSL9N60ATRL Köp av
IRFSL9N60ATRL Chip