IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Artikelnummer
IRFS11N50APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
170W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1423pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23762 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFS11N50APBF
IRFS11N50APBF Elektroniska komponenter
IRFS11N50APBF Försäljning
IRFS11N50APBF Leverantör
IRFS11N50APBF Distributör
IRFS11N50APBF Datatabell
IRFS11N50APBF Foton
IRFS11N50APBF Pris
IRFS11N50APBF Erbjudande
IRFS11N50APBF Lägsta pris
IRFS11N50APBF Sök
IRFS11N50APBF Köp av
IRFS11N50APBF Chip