IRFS17N20D
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Artikelnummer
IRFS17N20D
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12634 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFS17N20D
IRFS17N20D Elektroniska komponenter
IRFS17N20D Försäljning
IRFS17N20D Leverantör
IRFS17N20D Distributör
IRFS17N20D Datatabell
IRFS17N20D Foton
IRFS17N20D Pris
IRFS17N20D Erbjudande
IRFS17N20D Lägsta pris
IRFS17N20D Sök
IRFS17N20D Köp av
IRFS17N20D Chip