IRFSL9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Artikelnummer
IRFSL9N60APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
170W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39839 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL9N60APBF
IRFSL9N60APBF Elektroniska komponenter
IRFSL9N60APBF Försäljning
IRFSL9N60APBF Leverantör
IRFSL9N60APBF Distributör
IRFSL9N60APBF Datatabell
IRFSL9N60APBF Foton
IRFSL9N60APBF Pris
IRFSL9N60APBF Erbjudande
IRFSL9N60APBF Lägsta pris
IRFSL9N60APBF Sök
IRFSL9N60APBF Köp av
IRFSL9N60APBF Chip