Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRFSL31N20DTRR

IRFSL31N20DTRR

MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
Artikelnummer
IRFSL31N20DTRR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2370pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8802 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRFSL31N20DTRR
IRFSL31N20DTRR Elektroniska komponenter
IRFSL31N20DTRR Försäljning
IRFSL31N20DTRR Leverantör
IRFSL31N20DTRR Distributör
IRFSL31N20DTRR Datatabell
IRFSL31N20DTRR Foton
IRFSL31N20DTRR Pris
IRFSL31N20DTRR Erbjudande
IRFSL31N20DTRR Lägsta pris
IRFSL31N20DTRR Sök
IRFSL31N20DTRR Köp av
IRFSL31N20DTRR Chip