IRFSL11N50A
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
Artikelnummer
IRFSL11N50A
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1426pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52574 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL11N50A
IRFSL11N50A Elektroniska komponenter
IRFSL11N50A Försäljning
IRFSL11N50A Leverantör
IRFSL11N50A Distributör
IRFSL11N50A Datatabell
IRFSL11N50A Foton
IRFSL11N50A Pris
IRFSL11N50A Erbjudande
IRFSL11N50A Lägsta pris
IRFSL11N50A Sök
IRFSL11N50A Köp av
IRFSL11N50A Chip