IRFS9N60ATRLPBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Artikelnummer
IRFS9N60ATRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
170W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13975 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFS9N60ATRLPBF
IRFS9N60ATRLPBF Elektroniska komponenter
IRFS9N60ATRLPBF Försäljning
IRFS9N60ATRLPBF Leverantör
IRFS9N60ATRLPBF Distributör
IRFS9N60ATRLPBF Datatabell
IRFS9N60ATRLPBF Foton
IRFS9N60ATRLPBF Pris
IRFS9N60ATRLPBF Erbjudande
IRFS9N60ATRLPBF Lägsta pris
IRFS9N60ATRLPBF Sök
IRFS9N60ATRLPBF Köp av
IRFS9N60ATRLPBF Chip