IRFL110PBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Artikelnummer
IRFL110PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8436 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFL110PBF
IRFL110PBF Elektroniska komponenter
IRFL110PBF Försäljning
IRFL110PBF Leverantör
IRFL110PBF Distributör
IRFL110PBF Datatabell
IRFL110PBF Foton
IRFL110PBF Pris
IRFL110PBF Erbjudande
IRFL110PBF Lägsta pris
IRFL110PBF Sök
IRFL110PBF Köp av
IRFL110PBF Chip