IRFL014NPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Artikelnummer
IRFL014NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6862 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFL014NPBF
IRFL014NPBF Elektroniska komponenter
IRFL014NPBF Försäljning
IRFL014NPBF Leverantör
IRFL014NPBF Distributör
IRFL014NPBF Datatabell
IRFL014NPBF Foton
IRFL014NPBF Pris
IRFL014NPBF Erbjudande
IRFL014NPBF Lägsta pris
IRFL014NPBF Sök
IRFL014NPBF Köp av
IRFL014NPBF Chip