IRFL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Artikelnummer
IRFL014NTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40724 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFL014NTRPBF
IRFL014NTRPBF Elektroniska komponenter
IRFL014NTRPBF Försäljning
IRFL014NTRPBF Leverantör
IRFL014NTRPBF Distributör
IRFL014NTRPBF Datatabell
IRFL014NTRPBF Foton
IRFL014NTRPBF Pris
IRFL014NTRPBF Erbjudande
IRFL014NTRPBF Lägsta pris
IRFL014NTRPBF Sök
IRFL014NTRPBF Köp av
IRFL014NTRPBF Chip