TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Artikelnummer
TK6Q65W,S1Q
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33146 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK6Q65W,S1Q
TK6Q65W,S1Q Elektroniska komponenter
TK6Q65W,S1Q Försäljning
TK6Q65W,S1Q Leverantör
TK6Q65W,S1Q Distributör
TK6Q65W,S1Q Datatabell
TK6Q65W,S1Q Foton
TK6Q65W,S1Q Pris
TK6Q65W,S1Q Erbjudande
TK6Q65W,S1Q Lägsta pris
TK6Q65W,S1Q Sök
TK6Q65W,S1Q Köp av
TK6Q65W,S1Q Chip