TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
Artikelnummer
TK6Q60W,S1VQ
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32098 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK6Q60W,S1VQ
TK6Q60W,S1VQ Elektroniska komponenter
TK6Q60W,S1VQ Försäljning
TK6Q60W,S1VQ Leverantör
TK6Q60W,S1VQ Distributör
TK6Q60W,S1VQ Datatabell
TK6Q60W,S1VQ Foton
TK6Q60W,S1VQ Pris
TK6Q60W,S1VQ Erbjudande
TK6Q60W,S1VQ Lägsta pris
TK6Q60W,S1VQ Sök
TK6Q60W,S1VQ Köp av
TK6Q60W,S1VQ Chip