TK55S10N1,LQ
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Artikelnummer
TK55S10N1,LQ
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK+
Effektförlust (max)
157W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3280pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42763 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK55S10N1,LQ
TK55S10N1,LQ Elektroniska komponenter
TK55S10N1,LQ Försäljning
TK55S10N1,LQ Leverantör
TK55S10N1,LQ Distributör
TK55S10N1,LQ Datatabell
TK55S10N1,LQ Foton
TK55S10N1,LQ Pris
TK55S10N1,LQ Erbjudande
TK55S10N1,LQ Lägsta pris
TK55S10N1,LQ Sök
TK55S10N1,LQ Köp av
TK55S10N1,LQ Chip