TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
Artikelnummer
TK55D10J1(Q)
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220(W)
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40220 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK55D10J1(Q)
TK55D10J1(Q) Elektroniska komponenter
TK55D10J1(Q) Försäljning
TK55D10J1(Q) Leverantör
TK55D10J1(Q) Distributör
TK55D10J1(Q) Datatabell
TK55D10J1(Q) Foton
TK55D10J1(Q) Pris
TK55D10J1(Q) Erbjudande
TK55D10J1(Q) Lägsta pris
TK55D10J1(Q) Sök
TK55D10J1(Q) Köp av
TK55D10J1(Q) Chip