TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Artikelnummer
TK31V60X,LQ
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-VSFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
4-DFN-EP (8x8)
Effektförlust (max)
240W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9799 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK31V60X,LQ
TK31V60X,LQ Elektroniska komponenter
TK31V60X,LQ Försäljning
TK31V60X,LQ Leverantör
TK31V60X,LQ Distributör
TK31V60X,LQ Datatabell
TK31V60X,LQ Foton
TK31V60X,LQ Pris
TK31V60X,LQ Erbjudande
TK31V60X,LQ Lägsta pris
TK31V60X,LQ Sök
TK31V60X,LQ Köp av
TK31V60X,LQ Chip