TK31N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Artikelnummer
TK31N60W,S1VF
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14002 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK31N60W,S1VF
TK31N60W,S1VF Elektroniska komponenter
TK31N60W,S1VF Försäljning
TK31N60W,S1VF Leverantör
TK31N60W,S1VF Distributör
TK31N60W,S1VF Datatabell
TK31N60W,S1VF Foton
TK31N60W,S1VF Pris
TK31N60W,S1VF Erbjudande
TK31N60W,S1VF Lägsta pris
TK31N60W,S1VF Sök
TK31N60W,S1VF Köp av
TK31N60W,S1VF Chip