TK31E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Artikelnummer
TK31E60X,S1X
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36207 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK31E60X,S1X
TK31E60X,S1X Elektroniska komponenter
TK31E60X,S1X Försäljning
TK31E60X,S1X Leverantör
TK31E60X,S1X Distributör
TK31E60X,S1X Datatabell
TK31E60X,S1X Foton
TK31E60X,S1X Pris
TK31E60X,S1X Erbjudande
TK31E60X,S1X Lägsta pris
TK31E60X,S1X Sök
TK31E60X,S1X Köp av
TK31E60X,S1X Chip