TK31N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Artikelnummer
TK31N60X,S1F
Tillverkare/varumärke
Serier
DTMOSIV-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25146 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK31N60X,S1F
TK31N60X,S1F Elektroniska komponenter
TK31N60X,S1F Försäljning
TK31N60X,S1F Leverantör
TK31N60X,S1F Distributör
TK31N60X,S1F Datatabell
TK31N60X,S1F Foton
TK31N60X,S1F Pris
TK31N60X,S1F Erbjudande
TK31N60X,S1F Lägsta pris
TK31N60X,S1F Sök
TK31N60X,S1F Köp av
TK31N60X,S1F Chip