2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Artikelnummer
2SK1119(F)
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7573 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 2SK1119(F)
2SK1119(F) Elektroniska komponenter
2SK1119(F) Försäljning
2SK1119(F) Leverantör
2SK1119(F) Distributör
2SK1119(F) Datatabell
2SK1119(F) Foton
2SK1119(F) Pris
2SK1119(F) Erbjudande
2SK1119(F) Lägsta pris
2SK1119(F) Sök
2SK1119(F) Köp av
2SK1119(F) Chip