2SK1058-E
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Artikelnummer
2SK1058-E
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
160V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42752 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av 2SK1058-E
2SK1058-E Elektroniska komponenter
2SK1058-E Försäljning
2SK1058-E Leverantör
2SK1058-E Distributör
2SK1058-E Datatabell
2SK1058-E Foton
2SK1058-E Pris
2SK1058-E Erbjudande
2SK1058-E Lägsta pris
2SK1058-E Sök
2SK1058-E Köp av
2SK1058-E Chip