RW1C020UNT2R
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
Artikelnummer
RW1C020UNT2R
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-563, SOT-666
Leverantörsenhetspaket
6-WEMT
Effektförlust (max)
400mW (Ta)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
Vgs (max)
±10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8758 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RW1C020UNT2R
RW1C020UNT2R Elektroniska komponenter
RW1C020UNT2R Försäljning
RW1C020UNT2R Leverantör
RW1C020UNT2R Distributör
RW1C020UNT2R Datatabell
RW1C020UNT2R Foton
RW1C020UNT2R Pris
RW1C020UNT2R Erbjudande
RW1C020UNT2R Lägsta pris
RW1C020UNT2R Sök
RW1C020UNT2R Köp av
RW1C020UNT2R Chip