RW1C015UNT2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
Artikelnummer
RW1C015UNT2R
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-563, SOT-666
Leverantörsenhetspaket
6-WEMT
Effektförlust (max)
400mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6128 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RW1C015UNT2R
RW1C015UNT2R Elektroniska komponenter
RW1C015UNT2R Försäljning
RW1C015UNT2R Leverantör
RW1C015UNT2R Distributör
RW1C015UNT2R Datatabell
RW1C015UNT2R Foton
RW1C015UNT2R Pris
RW1C015UNT2R Erbjudande
RW1C015UNT2R Lägsta pris
RW1C015UNT2R Sök
RW1C015UNT2R Köp av
RW1C015UNT2R Chip