RS1E170GNTB
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Artikelnummer
RS1E170GNTB
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
8-HSOP
Effektförlust (max)
3W (Ta), 23.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44196 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RS1E170GNTB
RS1E170GNTB Elektroniska komponenter
RS1E170GNTB Försäljning
RS1E170GNTB Leverantör
RS1E170GNTB Distributör
RS1E170GNTB Datatabell
RS1E170GNTB Foton
RS1E170GNTB Pris
RS1E170GNTB Erbjudande
RS1E170GNTB Lägsta pris
RS1E170GNTB Sök
RS1E170GNTB Köp av
RS1E170GNTB Chip