RS1E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
Artikelnummer
RS1E150GNTB
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
8-HSOP
Effektförlust (max)
3W (Ta), 22.9W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
590pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21353 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RS1E150GNTB
RS1E150GNTB Elektroniska komponenter
RS1E150GNTB Försäljning
RS1E150GNTB Leverantör
RS1E150GNTB Distributör
RS1E150GNTB Datatabell
RS1E150GNTB Foton
RS1E150GNTB Pris
RS1E150GNTB Erbjudande
RS1E150GNTB Lägsta pris
RS1E150GNTB Sök
RS1E150GNTB Köp av
RS1E150GNTB Chip