RQ1C075UNTR
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Artikelnummer
RQ1C075UNTR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
TSMT8
Effektförlust (max)
700mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12032 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RQ1C075UNTR
RQ1C075UNTR Elektroniska komponenter
RQ1C075UNTR Försäljning
RQ1C075UNTR Leverantör
RQ1C075UNTR Distributör
RQ1C075UNTR Datatabell
RQ1C075UNTR Foton
RQ1C075UNTR Pris
RQ1C075UNTR Erbjudande
RQ1C075UNTR Lägsta pris
RQ1C075UNTR Sök
RQ1C075UNTR Köp av
RQ1C075UNTR Chip