RQ1C065UNTR
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Artikelnummer
RQ1C065UNTR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
TSMT8
Effektförlust (max)
700mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37911 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RQ1C065UNTR
RQ1C065UNTR Elektroniska komponenter
RQ1C065UNTR Försäljning
RQ1C065UNTR Leverantör
RQ1C065UNTR Distributör
RQ1C065UNTR Datatabell
RQ1C065UNTR Foton
RQ1C065UNTR Pris
RQ1C065UNTR Erbjudande
RQ1C065UNTR Lägsta pris
RQ1C065UNTR Sök
RQ1C065UNTR Köp av
RQ1C065UNTR Chip