RD3P100SNTL1
NCH 100V 10A POWER MOSFET
Artikelnummer
RD3P100SNTL1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252
Effektförlust (max)
20W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
133 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37546 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RD3P100SNTL1
RD3P100SNTL1 Elektroniska komponenter
RD3P100SNTL1 Försäljning
RD3P100SNTL1 Leverantör
RD3P100SNTL1 Distributör
RD3P100SNTL1 Datatabell
RD3P100SNTL1 Foton
RD3P100SNTL1 Pris
RD3P100SNTL1 Erbjudande
RD3P100SNTL1 Lägsta pris
RD3P100SNTL1 Sök
RD3P100SNTL1 Köp av
RD3P100SNTL1 Chip