RD3P050SNTL1
NCH 100V 5A POWER MOSFET
Artikelnummer
RD3P050SNTL1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252
Effektförlust (max)
15W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6113 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RD3P050SNTL1
RD3P050SNTL1 Elektroniska komponenter
RD3P050SNTL1 Försäljning
RD3P050SNTL1 Leverantör
RD3P050SNTL1 Distributör
RD3P050SNTL1 Datatabell
RD3P050SNTL1 Foton
RD3P050SNTL1 Pris
RD3P050SNTL1 Erbjudande
RD3P050SNTL1 Lägsta pris
RD3P050SNTL1 Sök
RD3P050SNTL1 Köp av
RD3P050SNTL1 Chip