RJK1003DPN-E0#T2
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
Artikelnummer
RJK1003DPN-E0#T2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4150pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10628 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RJK1003DPN-E0#T2
RJK1003DPN-E0#T2 Elektroniska komponenter
RJK1003DPN-E0#T2 Försäljning
RJK1003DPN-E0#T2 Leverantör
RJK1003DPN-E0#T2 Distributör
RJK1003DPN-E0#T2 Datatabell
RJK1003DPN-E0#T2 Foton
RJK1003DPN-E0#T2 Pris
RJK1003DPN-E0#T2 Erbjudande
RJK1003DPN-E0#T2 Lägsta pris
RJK1003DPN-E0#T2 Sök
RJK1003DPN-E0#T2 Köp av
RJK1003DPN-E0#T2 Chip