Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
RJK1001DPP-E0#T2

RJK1001DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Artikelnummer
RJK1001DPP-E0#T2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220FP
Effektförlust (max)
30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
147nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11209 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av RJK1001DPP-E0#T2
RJK1001DPP-E0#T2 Elektroniska komponenter
RJK1001DPP-E0#T2 Försäljning
RJK1001DPP-E0#T2 Leverantör
RJK1001DPP-E0#T2 Distributör
RJK1001DPP-E0#T2 Datatabell
RJK1001DPP-E0#T2 Foton
RJK1001DPP-E0#T2 Pris
RJK1001DPP-E0#T2 Erbjudande
RJK1001DPP-E0#T2 Lägsta pris
RJK1001DPP-E0#T2 Sök
RJK1001DPP-E0#T2 Köp av
RJK1001DPP-E0#T2 Chip