NTGS3130NT1G
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP
Artikelnummer
NTGS3130NT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
Effektförlust (max)
600mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20.3nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
935pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17956 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTGS3130NT1G
NTGS3130NT1G Elektroniska komponenter
NTGS3130NT1G Försäljning
NTGS3130NT1G Leverantör
NTGS3130NT1G Distributör
NTGS3130NT1G Datatabell
NTGS3130NT1G Foton
NTGS3130NT1G Pris
NTGS3130NT1G Erbjudande
NTGS3130NT1G Lägsta pris
NTGS3130NT1G Sök
NTGS3130NT1G Köp av
NTGS3130NT1G Chip