NTGS1135PT1G
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
Artikelnummer
NTGS1135PT1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
Effektförlust (max)
970mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±6V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12894 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTGS1135PT1G
NTGS1135PT1G Elektroniska komponenter
NTGS1135PT1G Försäljning
NTGS1135PT1G Leverantör
NTGS1135PT1G Distributör
NTGS1135PT1G Datatabell
NTGS1135PT1G Foton
NTGS1135PT1G Pris
NTGS1135PT1G Erbjudande
NTGS1135PT1G Lägsta pris
NTGS1135PT1G Sök
NTGS1135PT1G Köp av
NTGS1135PT1G Chip