NTDV5804NT4G
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
Artikelnummer
NTDV5804NT4G
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
71W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2850pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21596 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTDV5804NT4G
NTDV5804NT4G Elektroniska komponenter
NTDV5804NT4G Försäljning
NTDV5804NT4G Leverantör
NTDV5804NT4G Distributör
NTDV5804NT4G Datatabell
NTDV5804NT4G Foton
NTDV5804NT4G Pris
NTDV5804NT4G Erbjudande
NTDV5804NT4G Lägsta pris
NTDV5804NT4G Sök
NTDV5804NT4G Köp av
NTDV5804NT4G Chip