NTDV20N06T4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Artikelnummer
NTDV20N06T4G
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
1.88W (Ta), 60W (Tj)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1015pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12192 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTDV20N06T4G
NTDV20N06T4G Elektroniska komponenter
NTDV20N06T4G Försäljning
NTDV20N06T4G Leverantör
NTDV20N06T4G Distributör
NTDV20N06T4G Datatabell
NTDV20N06T4G Foton
NTDV20N06T4G Pris
NTDV20N06T4G Erbjudande
NTDV20N06T4G Lägsta pris
NTDV20N06T4G Sök
NTDV20N06T4G Köp av
NTDV20N06T4G Chip