NTDV18N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Artikelnummer
NTDV18N06LT4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48664 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTDV18N06LT4G
NTDV18N06LT4G Elektroniska komponenter
NTDV18N06LT4G Försäljning
NTDV18N06LT4G Leverantör
NTDV18N06LT4G Distributör
NTDV18N06LT4G Datatabell
NTDV18N06LT4G Foton
NTDV18N06LT4G Pris
NTDV18N06LT4G Erbjudande
NTDV18N06LT4G Lägsta pris
NTDV18N06LT4G Sök
NTDV18N06LT4G Köp av
NTDV18N06LT4G Chip