NTD18N06T4G
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Artikelnummer
NTD18N06T4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37766 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD18N06T4G
NTD18N06T4G Elektroniska komponenter
NTD18N06T4G Försäljning
NTD18N06T4G Leverantör
NTD18N06T4G Distributör
NTD18N06T4G Datatabell
NTD18N06T4G Foton
NTD18N06T4G Pris
NTD18N06T4G Erbjudande
NTD18N06T4G Lägsta pris
NTD18N06T4G Sök
NTD18N06T4G Köp av
NTD18N06T4G Chip