NTD110N02R-001
MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Artikelnummer
NTD110N02R-001
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
24V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3440pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20212 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD110N02R-001
NTD110N02R-001 Elektroniska komponenter
NTD110N02R-001 Försäljning
NTD110N02R-001 Leverantör
NTD110N02R-001 Distributör
NTD110N02R-001 Datatabell
NTD110N02R-001 Foton
NTD110N02R-001 Pris
NTD110N02R-001 Erbjudande
NTD110N02R-001 Lägsta pris
NTD110N02R-001 Sök
NTD110N02R-001 Köp av
NTD110N02R-001 Chip