NTD110N02R-001G
MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Artikelnummer
NTD110N02R-001G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
24V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3440pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49762 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NTD110N02R-001G
NTD110N02R-001G Elektroniska komponenter
NTD110N02R-001G Försäljning
NTD110N02R-001G Leverantör
NTD110N02R-001G Distributör
NTD110N02R-001G Datatabell
NTD110N02R-001G Foton
NTD110N02R-001G Pris
NTD110N02R-001G Erbjudande
NTD110N02R-001G Lägsta pris
NTD110N02R-001G Sök
NTD110N02R-001G Köp av
NTD110N02R-001G Chip