NDS335N
MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
Artikelnummer
NDS335N
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SuperSOT-3
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33313 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NDS335N
NDS335N Elektroniska komponenter
NDS335N Försäljning
NDS335N Leverantör
NDS335N Distributör
NDS335N Datatabell
NDS335N Foton
NDS335N Pris
NDS335N Erbjudande
NDS335N Lägsta pris
NDS335N Sök
NDS335N Köp av
NDS335N Chip