NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
Artikelnummer
NDS331N
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SuperSOT-3
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
162pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28238 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NDS331N
NDS331N Elektroniska komponenter
NDS331N Försäljning
NDS331N Leverantör
NDS331N Distributör
NDS331N Datatabell
NDS331N Foton
NDS331N Pris
NDS331N Erbjudande
NDS331N Lägsta pris
NDS331N Sök
NDS331N Köp av
NDS331N Chip