NDD60N550U1T4G
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
Artikelnummer
NDD60N550U1T4G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52354 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NDD60N550U1T4G
NDD60N550U1T4G Elektroniska komponenter
NDD60N550U1T4G Försäljning
NDD60N550U1T4G Leverantör
NDD60N550U1T4G Distributör
NDD60N550U1T4G Datatabell
NDD60N550U1T4G Foton
NDD60N550U1T4G Pris
NDD60N550U1T4G Erbjudande
NDD60N550U1T4G Lägsta pris
NDD60N550U1T4G Sök
NDD60N550U1T4G Köp av
NDD60N550U1T4G Chip